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Micron Technology, Inc.

分析レポート
作成日 2026-06-23
分析時株価
$972
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📅 本レポートは 2026-06-23 時点の分析です。株価・数値はその時点のもので、最新の状況とは異なる場合があります。最新の株価・開示は各自でご確認ください。
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Kabuly 案内役

この銘柄、まずは"分析"からいっしょに見ていきましょう。

事業と業績までを無料で公開しています。バリュエーションと"結論"パートは、筆者の個人用メモとして非公開にしています。

1. エグゼクティブサマリー

Micron Technology, Inc.(MU)は、DRAM・NAND を中核とする世界 3 大メモリメーカーの一角であり、足元は AI メモリ・スーパーサイクルの最大受益者として歴史的な業績拡大局面にある。直近の FY2026 第 2 四半期(2026/2/26 期末)決算では、売上 $23.86 billion(前年同期比 +196%、前四半期比 +75%)、GAAP 粗利率 74.4%、GAAP 純利益 $13.79 billion、GAAP 希薄化後 EPS $12.07 という、4 四半期連続の過去最高売上を更新した。DRAM が売上の 79%($18.8B、+207% YoY)、NAND が 21%($5.0B、+169% YoY)を占め、AI データセンター向け HBM(高帯域メモリ)・高容量 DIMM・LP サーバー DRAM の合算売上は四半期 $10 billion 規模に到達。カレンダー 2026 年の HBM 出荷は価格・数量とも拘束力ある契約で完売(sold out)しており、需給は構造的なタイト状態にある。

株価は過去 1 年で約 700% 上昇し $1,180.16、時価総額は約 $1.29 trillion に達した(2026 年 6 月に SK Hynix とともに $1T クラブ入り)。1.13 billion 株・ネットキャッシュ約 $3.1 billion(過去 3 四半期で総債務 $5B 超を削減し過去最強のバランスシート)という財務体質は健全だが、株価水準は FY2026 EPS コンセンサス約 $57.71 に対し Forward P/E 約 20.4x、FY2027 EPS コンセンサス約 $97.77 に対し 約 12.1x で取引されている。すなわち市場は「来期もう一段の増益」を相当程度織り込みつつあり、メモリ株特有の ピークアウト・リスクとの綱引き局面にある。

最大の論点は ①AI 需要が 2027〜2028 年の新規供給(Micron NY 新工場、SK Hynix 増強、Samsung 復調)を吸収し切れるか、②現在 70%超の粗利率がどこまで持続するか、の 2 点である。明日(2026/6/24 引け後)に控える FY2026 Q3 決算(コンセンサス 売上 約 $34.5B / 非 GAAP EPS 約 $19.72 / 粗利率 約 81%)が直近最大のカタリストであり、決算後の値動きを見極めてからのエントリーが合理的と判断する。

2. 事業構造と競争優位性

2-1. セグメント別売上構成(FY2026 Q2 / 製品別)

製品売上構成比YoY
DRAM$18.8 billion79%+207%
NAND$5.0 billion21%+169%
合計$23.86 billion100%+196%

エンドマーケット別では、AI データセンター向け(クラウドメモリ、コアデータセンター、HBM)が成長を牽引。Q1 FY2026 時点でクラウドメモリ売上 $5.3B(+100% YoY)、HBM・高容量 DIMM・LP サーバー DRAM 合算で四半期 $10B 規模。HBM の年率換算ランレートは FY4Q(2025 年 9 月期)の $8B から一段と拡大している。

2-2. 競争優位性(Moat)

  1. メモリ 3 強の寡占構造: DRAM は Samsung・SK Hynix・Micron の 3 社、NAND も実質 5〜6 社の寡占。プロセス微細化・パッケージング(HBM の TSV/積層)には巨額の設備投資と歩留り技術が必要で、新規参入障壁は極めて高い。今サイクルでは 3 社とも HBM へ生産を傾斜させ、コモディティ DRAM/NAND が構造的にタイト化。
  2. HBM 技術キャッチアップと品質優位: Micron は HBM3E でエヌビディア等への供給を本格化し、一部アロケーションで Samsung を逆転。HBM の電力効率で競争力を主張し、HBM4 の数量について顧客と協議中。SK Hynix が首位(HBM シェア 50〜62%)である構図は変わらないものの、Micron は 5〜20% のシェアレンジで第 3 極から「第 2 極」へ浮上を狙う。
  3. HBM 完売による収益可視性: カレンダー 2026 年の HBM が価格・数量とも契約済みで完売。これは半導体メモリでは異例の高い収益可視性を提供し、従来の「価格スポット変動に振り回される」構造を一部緩和している。
  4. 強固な財務とバランスシート: ネットキャッシュ約 $3.1B、過去 3 四半期で総債務 $5B 超削減、四半期 FCF $6.9B、30% 増配。サイクル下降局面でも投資余力と株主還元を維持できる体力。

2-3. SWOT

項目内容
S (Strength)DRAM/NAND 3 強の一角 / HBM での技術キャッチアップと一部シェア逆転 / カレンダー2026 HBM 完売 / 粗利率 74〜81% の歴史的高水準 / ネットキャッシュ約 $3.1B の強固な財務 / 四半期 FCF $6.9B
W (Weakness)HBM シェアは依然 SK Hynix・Samsung に劣後(5〜20%)/ メモリ価格サイクルへの高い感応度 / 巨額設備投資(FY2026 capex 約 $20B)による減価償却負担増 / 製品の差別化余地がロジック半導体より小さいコモディティ性
O (Opportunity)AI 向け HBM TAM が 2025 年 約$35B → 2028 年 約$100B へ拡大(2 年前倒し)/ ハイパースケーラー capex 2026 年 $600B 超(+40% YoY)/ DDR5・サーバー DRAM の構造的逼迫が 2027 年まで継続見込み / HBM4 世代での更なるシェア獲得余地
T (Threat)2027〜2028 年の新規供給集中(Micron NY 工場・SK Hynix・Samsung)による供給過剰リスク / AI モデルの効率改善で需要鈍化の可能性 / 粗利率 70%超の正常化(40% 台へ回帰)リスク / 地政学(対中輸出規制、台湾・韓国サプライチェーン)/ 過去サイクルで株価 50%超下落の前例(2019-2020)

3. 直近業績とファンダメンタル

3-1. 四半期業績推移

指標Q1 FY2026Q2 FY2026Q3 FY2026 ガイダンス
売上$13.64 billion$23.86 billion$35.5B ±$750M(改定)
YoY 売上成長+56.6%+196%約 +271%(市場推計)
GAAP 粗利率74.4%
非 GAAP 粗利率(目標)約 81%
GAAP 純利益$13.79 billion
GAAP 希薄化後 EPS$12.07
調整後 FCF$6.9 billion

読み解き: 売上は四半期で +75% という異例の伸び。AI 需要が供給を上回り、DRAM/NAND の双方で価格・数量が急騰している(DRAM 契約価格は 2026 Q2 に QoQ +58〜63%、NAND は +70〜75% の見通し)。粗利率は GAAP 74.4% → 非 GAAP 約 81% へ拡大目標と、メモリ業界では前例のない収益性。Micron は EPS コンセンサスを直近 4 四半期連続で上回り、平均 +21.7% のサプライズ。

3-2. 通期業績見通し(コンセンサス)

指標FY2025(実績)FY2026(予想)FY2027(予想)
EPS$7.68約 $57.71(+651%)約 $97.77(+69%)
成長ドライバーサイクル回復初期AI スーパーサイクル本格化HBM4 ランプ・供給逼迫継続

EPS は FY2025 $7.68 → FY2026 約 $57.71 → FY2027 約 $97.77 と、コンセンサスはメモリサイクルのピークを 2028 年前後と想定。ただしこれは「需給タイトが 2027 年まで継続」という前提に強く依存する。

3-3. 株価指標(2026/6/23 時点)

指標
株価$1,180.16
時価総額約 $1.29 trillion
発行済株式数約 1.13 billion 株
ネットキャッシュ約 $3.1 billion(現金 $13.9B − 総債務 $10.8B)
EV約 $1.28 trillion
Forward P/E(FY2026 EPS $57.71)約 20.4x
Forward P/E(FY2027 EPS $97.77)約 12.1x
FY2026 capex約 $20 billion
直近四半期 調整後 FCF$6.9 billion
🔒

バリュエーション・投資判断・目標株価(非公開)

3アプローチのバリュエーション、結論(BUY/HOLD/SELL)、12ヶ月目標株価レンジ、エントリー/エグジット戦略・トリガーは、筆者の個人用メモとして非公開にしています。

パスコードが違うようです。

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